发光二极管的构造

       发光二极管(LED)都是使用「化合物半导体」制作，二种以上的元素键结形成的半导体，称为「化合物半导体」。例如：砷化镓(GaAs)属于三五族化合物半导体(3A族的镓与5A族的砷)、硒化镉(CdSe)属于二六族化合物半导体(2A族的镉与6A族的硒)等固体材料，化合物半导体的发光效率极佳，因此我们大多利用它来制作发光组件，例如：砷化镓(GaAs)是属于「直接能隙(Direct band gap)」，所以砷化镓晶圆所制作的组件会发光，一般都用来制作发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等发光组件。

       发光二极管(LED)的构造如图一(a)所示，直插的灯珠外观呈椭圆形，尺寸与一颗绿豆差不多，但是真正发光的部分只有图中的「芯片(chip)」而已，芯片的尺寸与海边的一粒砂子差不多，这么小的一个芯片就可以发出很强的光，由于发光二极管的芯片很小，所以一片2吋的砷化镓晶圆就可以制作数万个芯片，切割以后再封装，形成如图一(a)的外观，发光二极管的制程与硅晶圆的制程相似，都是利用光刻微影、掺杂技术、蚀刻技术、薄膜成长制作而成。

发光二极管的基本原理

       如果我们将二极管的芯片放大，如图一(b)的氮化镓发光二极管所示，有金属电极，中间有N型与P型的氮化镓与电极，当发光二极管与电池连接时，电子由电池的负极流入N型半导体，空穴由电池的正极流入P型半导体，电子与空穴在P型与N型的接面处结合，并且由芯片的上方发光，经过椭圆形的塑料封装外壳，由于椭圆形的塑料封装外壳类似凸透镜，具有聚光的效果，可以使发出来的光线「比较集中」。

       值得注意的是，真正能够使发出来的光线集中成一束射出的半导体元器件只有「激光二极管(LD)」，要让光线集中成一束必须要有「谐振腔(Cavity)」的结构才行LED是一门半导体物理，光学，材料学与色彩学的综合学科与技术，早期的技术开发感觉人的因素很重要，技术进步就是工程师调试配方（他们叫recipe）与试错再优化的过程，尤其是在外延的部分，理论不是很深奥，但是结构优化的过程是技术人员最宝贵的经验与公司最重要的技术资产，能够驾驭设备做出高亮度芯片的人就是掌握公司命脉的决定者。

       但是随着标准化设备的导入，规模化与模块化的产业过程，技术不再是深不可测，工艺优化，设备优化变成主旋律，未来，掌握了LED基本知识你就会了解，高深的科技理论不过就是我所推介的简单道理。